標準電極

產品型(xing)號：NeuroNexus
更新時間：2024-07-26
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產品介紹

業界*的硅電極

記錄和刺激單個神經元，多個神經元和局部場電位。

NeuroNexus的標準電極使用了(le)*的硅微電(dian)子機(ji)械（MEMS）技術(shu)，由密歇根大學制造完成。NeuroNexus提升了(le)技術(shu)，具有能生產更小(xiao)，更靈活(huo)的設(she)備，這些設(she)備都非常的精確(que)，具有高度(du)可重復(fu)性、機(ji)械性、幾何學和電(dian)學的特性。終， NeuroNexus用戶可以在每(mei)次(ci)使用我們的電(dian)極時獲得*的記錄(lu)結果。

NeuroNexus提供了多種用于單神經元、多神經元和局部場電位（LFP）的記錄和刺激的硅電極陣列。為了幫助研究人員定位大腦中不同的結構，標準電極開發了(le)大量(liang)的(de)(de)設(she)計模板，每種設(she)計具有不同的(de)(de)參(can)數(shu)，包(bao)括：長度（跨皮質層），柄(bing)的(de)(de)數(shu)量(liang)（跨皮質柱），電極位點面積（針對單個或(huo)多個神經元(yuan)），電極位點間距（針對特定區域）和(he)位點布局。

若(ruo)您需(xu)要配置電極，可(ke)以(yi)在電極陣(zhen)列設(she)計中找到符(fu)合您需(xu)求的電極陣(zhen)列，或(huo)直接(jie)與(yu)我(wo)們聯系。一旦(dan)你選(xuan)擇了一個電極陣(zhen)列的設(she)計方案，并(bing)找到與(yu)之相匹配的連接(jie)器(qi)package，以(yi)便(bian)它可(ke)以(yi)與(yu)你的headstage連接(jie)。

技術參數

電極位點金屬材質	銥 (標準), 鉑 (定制), 金(定制)
電極厚度	15 μm or 50 μm (不同的設計)
電極長度	2, 3, 4, 5, 6, 10, 15 mm (不同的設計)
通道數	8, 16, 32, 64, 128, 256 (不同的設計)

位點布局：

線性電極陣列是(shi)(shi)多通道記(ji)錄的(de)基礎(chu)方案。片狀設(she)計使得(de)電極(ji)陣列(lie)比單通道的(de)*電極(ji)有更(geng)廣泛(fan)的(de)覆蓋區域，這是(shi)(shi)神經網絡實驗所必(bi)需的(de)。線(xian)性電極(ji)陣列(lie)具有廣泛(fan)的(de)應用。

邊緣位點與線性布局類似，但電極位點分布在硅基板的邊緣上(shang)。

四電極（Tetrode）由四個電(dian)極位點并攏(long)放置，

可以(yi)在記(ji)錄中(zhong)提高(gao)細胞識(shi)別(bie)能(neng)力(li)。

Polytrode 電極位(wei)(wei)點(dian)布局有(you)兩種(zhong)變體：POLY2（兩列(lie)位(wei)(wei)點(dian)，左邊示出(chu)），或Poly3（三列(lie)位(wei)(wei)點(dian)）。不同位(wei)(wei)點(dian)間(jian)在一定程度實現多次交叉，能(neng)夠覆蓋較大(da)的空間(jian)。

多(duo)柄電極陣列涵蓋了大(da)腦的二(er)維平面。通過控制柄(bing)和(he)位(wei)點(dian)間(jian)距，可獲得大(da)腦較大(da)空間(jian)的詳細信息。多柄(bing)電極還可以結合(he)Tetrode和(he)polytrode的位(wei)點(dian)排(pai)布。

Headstage 接口選擇

Neuro Nexus電極(ji)通過連接(jie)器package與大多數商用Headstage兼容(rong)。我(wo)們還提供配合(he)SmartBox使(shi)用的SmartLink Headstage。

想要配置您Headstage的(de)package，您首先需要知道您的(de)headstage使用的(de)接口類型。然后找(zhao)到與您的(de)headstage 匹配的(de)package。

O M N E T I C S N A N O 連接器