產品介紹

1. 業界*的硅電極--標準電極

記錄和刺激單個神經元，多個神經元和局部場電位。

NeuroNexus的標準電極使用了(le)*的(de)(de)硅微電子機械（MEMS）技(ji)術，由(you)密(mi)歇(xie)根大學(xue)(xue)制造完成。NeuroNexus提升了(le)技(ji)術，具有能生產更(geng)小，更(geng)靈活的(de)(de)設備(bei)，這些(xie)設備(bei)都非(fei)常(chang)的(de)(de)精確，具有高(gao)度(du)可重復性、機械性、幾何學(xue)(xue)和(he)電學(xue)(xue)的(de)(de)特性。終(zhong)， NeuroNexus用戶可以在每次使用我們的(de)(de)電極時獲得*的(de)(de)記錄結果(guo)。

NeuroNexus提供了多種用于單神經元、多神經元和局部場電位（LFP）的記錄和刺激的硅電極陣列。為了幫助研究人員定位大腦中不同的結構，標準電極開發了(le)大量的設計模(mo)板，每種(zhong)設計具有不同(tong)的參數，包括：長度（跨(kua)皮質層），柄的數量（跨(kua)皮質柱），電(dian)極位點面積（針(zhen)對單個或多個神經元），電(dian)極位點間(jian)距（針(zhen)對特定區域(yu)）和(he)位點布局(ju)。

若您需(xu)要(yao)配(pei)(pei)置電(dian)極(ji)，可以在電(dian)極(ji)陣列設計(ji)中(zhong)找(zhao)到符合您需(xu)求的(de)(de)電(dian)極(ji)陣列，或直(zhi)接與我(wo)們聯系。一(yi)旦(dan)你選擇了一(yi)個電(dian)極(ji)陣列的(de)(de)設計(ji)方案，并找(zhao)到與之相匹配(pei)(pei)的(de)(de)連接器package，以便它可以與你的(de)(de)headstage連接。

技術參數

2. 光遺傳電極-美國NeuroNexus電極

產品介紹

NeuroNexus擁有很多(duo)不同的(de)產(chan)品來支(zhi)持光(guang)(guang)(guang)遺(yi)傳學的(de)研(yan)究(jiu)。我(wo)們(men)的(de)光(guang)(guang)(guang)遺(yi)傳產(chan)品包(bao)括(kuo)光(guang)(guang)(guang)電極、植入式光(guang)(guang)(guang)纖、光(guang)(guang)(guang)源系統及(ji)其配件(jian)。如果您(nin)(nin)是光(guang)(guang)(guang)遺(yi)傳學領域的(de)新手，我(wo)們(men)還為(wei)您(nin)(nin)提供多(duo)種不同的(de)光(guang)(guang)(guang)遺(yi)傳學產(chan)品讓您(nin)(nin)順利開(kai)始(shi)您(nin)(nin)的(de)科(ke)學研(yan)究(jiu)。

任何標準電極(ji)陣列都可(ke)以升級為(wei)一個光電極(ji)，使得光刺(ci)激和(he)神經記錄(lu)同(tong)步進行。將光纖（直徑105μm）放(fang)在電極(ji)柄的頂部(bu)，光纖的*位(wei)于(yu)電極(ji)記錄(lu)位(wei)點以上200μm（距離可(ke)根(gen)據要求定(ding)制(zhi)）。

NeuroNexus現在提(ti)供用于(yu)擴展光(guang)(guang)(guang)遺(yi)傳(chuan)學應用的多(duo)光(guang)(guang)(guang)纖電(dian)(dian)極(ji)，其結構緊湊并且堅固。使用蝕(shi)刻光(guang)(guang)(guang)纖（65μm），每(mei)(mei)個電(dian)(dian)極(ji)（每(mei)(mei)個電(dian)(dian)極(ji)陣列柄一根光(guang)(guang)(guang)纖）可以連(lian)接(jie)多(duo)達8根光(guang)(guang)(guang)纖。由于(yu)光(guang)(guang)(guang)纖和(he)NeuroNexus微(wei)電(dian)(dian)極(ji)陣列的物理限制，所以會有(you)一些設計限制。多(duo)光(guang)(guang)(guang)纖光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)僅適用于(yu)LP（無套管(guan)）package。

規格：

3. 給藥電極_NeuroNexus藥物輸送電極

藥物輸送+化學感應

結合藥物輸送和電生理記錄。
在E16-20mm-100-177電極陣列上可以放置藥物引導管將藥物輸送和電生理記錄結合起來。藥物引導管放置在微電極陣列側面，藥物從引導管的末端輸出。引導管接頭與標準HPLC適配器兼容，并與外部注射泵連接。通常情況下，使用基于壓力的送藥方式。
與我們的眾多產品相同，給藥電極也可以定制。
可以調整NeuroNexus電極以檢測神(shen)經(jing)化(hua)學和電(dian)生理(li)信號(hao)。可以通過分析(xi)由離子(zi)選擇膜涂覆的(de)電(dian)極位點(dian)的(de)在(zai)體循環伏安法(fa)來實現化(hua)學檢測。NeuroNexus不提供(gong)涂層(ceng)，但可以提供(gong)描(miao)述涂層(ceng)方法(fa)的(de)設計建議和參考。

規格：

4. 表面電極: ECoG

柔軟的聚合物表面網格，具有高分辨率。

表面陣列電極是使用聚合物MEMS技術制造的，能夠貼合大腦表面的超柔性電極。表面電極可用于記錄包括腦，脊髓，外周神經和心臟等各種部位的生理信號（如EEG，ECoG，EMG和ECG）。（詳見我們的神經心理學目錄。）這類電極還可以和標準電極結合使用，實現表面和深部腦區的同時記錄。表面電極還可以與其他神經連接。 
NeuroNexus 提供多種電極設(she)計，適用(yong)于(yu)從小鼠到非人靈長(chang)類動物(wu)。

規格：

5. NeuroNexus 3D電極_Matrix Array 

3D記錄不同空間位置的神經細胞。
多功能配置、性能可靠。

NeuroNexus 3D電極_Matrix Array 是采用(yong)成熟的(de)(de)硅技(ji)術設(she)計的(de)(de)新(xin)的(de)(de)三維電極，用(yong)于(yu)像靈長(chang)類(lei)這樣的(de)(de)大(da)型動(dong)物的(de)(de)急性(xing)和慢性(xing)實(shi)驗。

Matrix Array™同時跨越皮質層和皮質柱(zhu)，覆蓋大(da)片區(qu)域(yu)，記錄大(da)量的神(shen)經(jing)信息。

Matrix Array可以直接使用我們標準的(de)(de)2D硅(gui)電(dian)(dian)(dian)極組裝，每一片硅(gui)電(dian)(dian)(dian)極的(de)(de)間(jian)距(ju)和陣列(lie)形(xing)式(shi)都可以定制，可以靈活自如(ru)地設計出跨越任何解(jie)剖結構的(de)(de)3D電(dian)(dian)(dian)極。Matrix Array通過一個(ge)超柔的(de)(de)線纜(lan)連接到電(dian)(dian)(dian)極連接器(qi)上。

每個電極都提供了配(pei)套的工(gong)具(ju)（包括(kuo)測量(liang)工(gong)具(ju)，模擬裝(zhuang)配(pei)，螺(luo)絲(si)等），協助您提高電極記錄的成功率。

從左上角開始順時針順序：單核Matrix Array™，雙核Matrix Array™，多核Matrix Array™電極與表面電極，單核Matrix Array™與表面電極

NeuroNexus 3D電極_Matrix Array有高度靈(ling)活(huo)的(de)(de)配(pei)(pei)置(zhi)。各種配(pei)(pei)置(zhi)都可以擴(kuo)展傳統(tong)的(de)(de)記(ji)錄(lu)區域，能夠與從腦(nao)表(biao)面(mian)到(dao)皮(pi)(pi)質下(xia)結(jie)構的(de)(de)任何(he)部分相互(hu)連接。單個(ge)電極組件，或(huo)為(wei)多個(ge)植(zhi)(zhi)入位置(zhi)選擇雙核組件。使表(biao)面(mian)電極和植(zhi)(zhi)入電極的(de)(de)組合(he)記(ji)錄(lu)腦(nao)表(biao)面(mian)和腦(nao)皮(pi)(pi)層(ceng)。可將短和長電極混合(he)在(zai)一(yi)個(ge)陣列中，以記(ji)錄(lu)并刺激高達10毫米深的(de)(de)腦(nao)組織結(jie)構。

上圖：配置有不同電極長度的單個Matrix Array™，對大腦中不同區域進行定位。

規格：

6. Qtrode: 4 通道電極

4通道電極有精確的，易于重復使用的幾何形狀。
Qtrode是一種4通道電極，適用于較低通道數或替代使用導線記錄的急性和慢性實驗。Qtrodes的技術與標準電極相同，可快速交貨。
Qtrodes可(ke)(ke)以(yi)達到10mm深的腦區，線性位置(zhi)布局可(ke)(ke)以(yi)跨越150μm， 300μm或(huo)(huo)600μm的深度。適配器(qi)可(ke)(ke)與常用(yong)的Headstage接(jie)口連接(jie)。 Qtrode也(ye)可(ke)(ke)以(yi)配合微型驅動器(qi)的長(chang)期使用(yong)（dDrive或(huo)(huo)oDrive）。

上圖(tu)：電極(ji)接(jie)口板（EIB）允(yun)許將(jiang)多個Qtrodes植入同一只動物。它(ta)與QIB板（未示出）連接(jie)，通過單個16通道Omnetics接(jie)口的Headstage連接(jie)。

規格：